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納米結構特性<br> <br>原子、鍵結與物質<br> 所有的材料與物質均是由原子經適當的化學鍵結所組合而成,包括一級鍵結的金屬鍵、離子鍵與共價鍵,二級鍵結則有凡得瓦鍵與氫鍵。鍵結長度由兩原子靠近時之凈作用力和(原子吸引力與排斥力)為零的距離所決定,而凈作用力對原子分隔距離積分所得位能曲線,則在鍵長處有最低的位能。此一鍵結性質不僅對應于材料的機械性質,也與熱性質息息相關。固態物質不僅是單純的原子凝集體,個別原子之價電子的電子能階,因原子鍵結而形成鍵結軌域與反鍵結軌域,其軌域數目隨著鍵結數的增加而增加,且能階間距隨之縮小而近似于連續性分布的能帶。此一固態能階大小與分布的性質,與鍵結的原子種類及原子數目有高度的關連性,所影響的物質性質包括:電性質、光性質、磁性質與光電性質等。納米結構是指至少有一維尺度介于1~100 nm的物質結構,包括:由幾個至幾百個原子的聚集體所形成約數納米大小的原子團簇(clusters);顆粒尺寸為納米量級(1~100 nm)的超細納米微粒(nanoparticles);以及由一定數量原子所組成的人造原子聚集體,又稱量子點。在這些納米結構物質中,因構筑物質的原子數目及其分布隨著物質尺寸的縮減而急遽變化,影響其性質的鍵結與能階特性也與塊材有著截然不同的呈現。以下即就納米結構中的表面效應、小尺寸效應、量子尺寸效應與量子局域效應等特性作說明。<br>表面效應<br> 物質微粒隨著尺度的降低,分布于微粒表面的原子數比例隨之增加,這些表面原子由于近鄰配位不全,無法形成最低鍵結位能的穩定態,而有較高的表面位能且極不穩定,具有極高的化學活性易與其它原子鍵結。此一表面原子活性的效應,是構成惰性貴金屬觸媒活性的主要原因。納米微粒表面原子最近鄰數低于微粒內部,再加上大的比表面積,使得相鄰原子間的非鍵結電子對排斥力降低,這會導致納米粒子內鍵長的縮短以及晶格排列的變形,原子間距的縮小,將會使磁性材料的特征物理量—居里溫度(Tc)隨粒徑減小而下降。另外,在金屬微粒中,因粒徑減小所導致的表面能增大,使得納米金屬微粒于熔融時,所需增加熱能以促進原子擴散遠比塊材小得多,這正是納米金屬微粒熔點急遽下降的原因。將納米微粒的陶瓷粉末在高壓下壓制成型,應用于陶瓷的燒結制程時,可在較低的燒結溫度,利用納米微粒的高界面能驅動原子的擴散,達到精密陶瓷高致密化的效果。<br>小尺寸效應<br> 藉由降低晶粒的尺寸大小以達到阻止插排移動的效果,常應用于提升復晶材料的機械強度。對許多材料而言,降伏強度s y(或是硬度H)隨晶粒尺寸減小而增大的關系,可由Hall-Pectch eq.來表示:<br> ; <br> 式中s 0、H0與K為常數,d為平均晶粒直徑。一般而言,K值為正數,且s y或H是與d-1/2成正比線性關系。然而在納米晶粒大小的材料中,其尺度接近于內部相鄰插排的間距,使得納米材料的硬度與晶粒尺寸的關系,無法用上述關系式解釋,而有復雜的正K值、負K值以及正負K值混合的關系。在此同時,納米晶粒材料所具有極大體積比例的晶界,會大幅改善陶瓷材料的塑性、沖擊韌性與斷裂韌性,而欲得到高強度、超塑性的精密陶瓷材料,則晶粒大小的控制須在一臨界的尺度范圍內。<br> 當納米微粒的尺寸小于光波長度時,即無法再反射入射光,且具有很強的光吸收率,使得多種納米金屬微粒均呈現黑色的外觀。若電子波于納米尺寸的物質微粒中傳導時,其周期性晶格的邊界條件將于納米微粒的表面被破壞,而表面原子則會產生大量的表面態能階,并在原先塊材的能隙中生成新的能階(如圖一所示)。納米微粒中的磁化方向因尺寸的縮小,可因熱運動致使向異性降低,而有超順磁性的特性。另外一方面,因納米微粒的尺寸小至僅單磁疇的大小時,欲使此一永磁性微粒的磁矩反轉,則須加大反向磁場強度以使整個粒子反轉,使得納米微粒具有很高的磁矯頑力。<br> <br>圖一 半導體塊材能帶結構與原子團簇能階結構示意圖(2)<br>量子尺寸效應<br> 在能帶理論中,金屬材料的電子能階于費米能階附近是連續性分布的能帶,隨著粒子尺寸的降低,轉變為離散性的電子能階。久保(Kubo)理論進一步說明相鄰電子能階間距d 與納米金屬粒子直徑d的關系,如下所示:<br> <br> <br>圖二 光的吸收、自發光與受激發光<br> 式中N為粒子中的總導電電子數,EF為費米能階??煽闯鲭S著粒徑的減小,能階間距增大。此一量子尺寸效應,顯現于納米半導體微粒的效應則是能隙變寬,而鍵價帶與導電帶的能帶則轉變成不連續分布的能階。在材料的光性質上,主要是光的吸收與發光,其程序如圖二所示為能階之間的電子轉移。納米半導體微粒因尺度的縮小,通常伴隨著光吸收的藍位移,其原因即是因為能隙變寬所致。在納米微粒的發光現象上,當激發態電子轉移至基態時,其發射光的波長由能隙寬度所決定,隨著微粒尺寸的縮小,發射光的顏色相較于塊材,因能隙變寬而產生往短波長偏移的現象(如圖三所示)。亦即,我們可藉由制備不同粒徑大小的納米半導體微粒來控制所發出的光色。若是所使用的納米半導體微粒為寬能隙的n-型半導體(如TiO2、ZnO、CdS、PbS等),則在大于能隙能量的可見光或紫外光照射下,受光激發所產生的電子躍遷至導電帶,并在鍵價帶留下電洞,此一電子-電洞對的分離(如圖四所示),因納米半導體粒子粒徑縮小所致的能隙寬度變大,而變得極有效率,再加上粒徑縮小至與半導體的德拜長度(Debye length)相當,則光激發所產生的載子流可以經由擴散由粒子內部遷移到粒子的表面,電子可以轉移至電子受體的化合物進行還原反應,而電洞則與氧化物半導體表面的OH?/SUP>官能基進行氧化反應,生成高活性的OH自由基,可將許多難分解的有機化合物,降解氧化成二氧化碳和水等簡單的化合物,此即為納米半導體微粒所具有的光觸媒催化特性。<br> <br>圖三 納米半導體微粒能隙值與粒徑大小的關系(2)<br> <br>圖四 二氧化鈦納米半導體微粒的光觸媒催化程序(4)<br>量子局域效應<br> 根據海森堡測不準原理,經由量子力學無法同時于物質中正確得知電子(或光子)的位置與動量,其中一個愈準確,另一個就愈不準確。若將電子(或光子)限制在狹小的納米空間范圍里,則可能的動量范圍就愈廣,動量范圍愈廣,則電子(或光子)平均能量就愈高,且在范圍邊界處,其性質有量子化躍遷的效應(如圖五所示)。當納米半導體微粒的粒徑 r 小于激子波耳半徑(exciton Bohr radius)aB時,電子的平均自由行程局域于很小的空間,此時電洞極易與電子結合形成激子,由電子和電洞波函數的重疊所產生的激子吸收能帶,不僅具有很強的激子能帶吸收系數,于受光激發時,則呈現明顯的發光現象。<br> <br>圖五 電子與光子的量子局域效應(3)<br> 光子晶體(photonic crystals)是由不同介電常數的材料周期排列所成的結構,其規則排列周期寬度約為可見光至紅外光波長的1/4~1/2 (約80~800 nm),如同半導體材料對電子之影響一般,光子晶體的結構也會影響電磁波于晶體中的傳導,亦即在晶體結構中存在一能帶間隙可排除特定頻率的光子通過,所以光子晶體又稱為光能隙晶體(photonic bandgap crystals, PBG)。圖六(A)所示是由兩不同介電薄膜交替組成一維PBG晶體結構示意圖。由圖六(A)結構所計算的一維PBG晶體光子能帶結構示于圖六(B),圖中斜線區域即為光子能帶間隙,任何電磁波之頻率落于此區域時,無論其方向或偏極化皆無法傳導通過PBG晶體,而被局域于此空間之內。光子能帶結構通常是以不同波長電磁波的穿透率量測(如圖六C所示),其能帶間隙特征主要由三個參數所決定:能隙中間值(l min);能隙寬(D l )或gap/midgap比值(D l /l min);能隙最大衰減值(10 log(Imax/Imin))(單位為dB)。光子晶體可用來局域、控制、調變三次元空間的光子傳導,例如阻隔特定頻率光子的傳導;將限定頻率的光子定域化于特定面積;禁制激發態發光基團的自發光;充當特定方向無損耗的光波導,這些性質可應用于相干性發光二極管、無閥值半導體二極管雷射,及其它光學、光電及量子組件的性能提升等。<br> <br>圖六(A)由兩不同介電薄膜交替組成的1D PBG晶體結構示意圖;<br>(B)代表性一維 PBG晶體光子能帶結構示意圖;<br>(C)PBG晶體光子能帶結構以不同波長電磁波之穿透光譜量測。(5)<br>參考文獻<br> (1)張力德,牟季美,「納米材料和納米結構」,科學出版社,北京(2001)。<br> (2)A.D.Yoffe,Adv.Phys.51,799(2002).<br> (3)C.Weisbuch,H.Benisty,R.Houdre,J.Lumin.85,271(2000).<br> (4)P.V.Kamat,J.Phys.Chem.B,106,7729(2002).<br> (5)Y.Xia et al.,Adv.Mater.,12,693(2000).<p> |
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